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数据表
9
逸康27或ISL653
R
ISL62
®
ISL6225
2004年12月28日
FN9049.7
双移动友好PWM控制器
DDR内存选项
该ISL6225双PWM控制器提供高效率，
从两个电压精确调节调节同步降压
直流/直流转换器。该ISL6225 PWM电源控制器
被专门设计用于DDR DRAM，SDRAM ，和图形
芯片应用中的高性能DeskNote电脑PC机，
笔记本电脑，亚笔记本电脑和PDA。
中恒频同步自动模式选择
整治在重负载和迟滞二极管仿真，在
轻负载，确保高效率在宽范围的
条件。操作迟滞模式可以禁用
分别在每个PWM变换器，如果恒频
连续导通操作所需的所有负载水平。
效率是通过使用较低的MOSFET进一步增强
r
DS （ ON）
作为电流检测元件。
电压前馈斜坡调制，平均电流模式
控制和内部反馈补偿提供快捷
响应于输入电压和输出负载瞬变。输入
纹波电流通过通道到通道PWM最小化
为0°的相移，90°，或180°由输入电压决定
并在DDR销的状态。
该ISL6225可以控制两个独立的输出电压
调整范围为0.9V至5.5V ，或通过激活DDR脚，
变身成一个完整的DDR显存供电
的解决方案。在DDR模式， CH2输出电压VTT跟踪CH1
输出电压VDDQ 。 CH2输出能源和汇
对于DDR内存目前，一个基本电源功能
系统。由DDR所需的参考电压VREF
存储器被生成。
在双电源应用的ISL6225监控
CH1和CH2的输出电压。独立
PGOOD （电源好）信号被确认为每个信道
软启动序列已完成，并输出后
电压在设定值的±10％ 。在DDR模式CH1
生成唯一的PGOOD信号。
内置过压保护防止输出
要高于设定值115 ％通过保持较低的
MOSFET导通和上MOSFET关断。当输出
电压衰减低于过压阈值，正常
操作自动恢复。一旦软启动
序列已完成，欠压保护可
锁存器ISL6225关闭，如果任一输出下降到低于75 ％的
设定点值。
可调式过电流保护（ OCP ）监控
接R的电压降
DS （ ON）
的低端MOSFET 。如果
更精确的电流检测是必需的，一个外部电流
感测电阻器可以被使用。
1
特点
•提供稳定的输出电压在0.9V - 5.5V的范围内
- 高效率，在很宽的负载范围内
- 同步降压转换器的迟滞操作
轻载
- 禁止滞回模式上的一个或两个通道
•完整的DDR内存电源解决方案
- VTT跟踪VDDQ / 2
- VDDQ / 2缓冲基准输出
•无需电流检测电阻器
- 使用MOSFET ř
DS （ ON）
- 可选的电流检测电阻的精密过电流
在V•欠压锁定
CC
针
•双输入电压工作模式
- 直接工作于电池5V至24V输入
- 工作于3.3V或5V轨系统
- 从5V VCC只
•出色的动态响应
- 复合电压前馈和平均电流
模式控制
•电源良好信号，每个通道
• 300kHz开关频率
- 180 °通道间的相位操作，可降低输入
纹波在不DDR模式
- 0 °通道间的相位操作DDR模式
减少信道干扰
- 90 °通道间的相位操作，可降低输入
纹波在DDR模式下，当VIN为GND 。
•无铅可（符合RoHS ）
应用
•移动PC
- 掌上电脑
•手持便携式仪器
订购信息
产品型号
ISL6225CA
ISL6225CAZ （注1 ）
ISL6225CAZA （注1 ）
TEMP 。 （ ° C）
-10到85
-10到85
-10到85
包
28 Ld的SSOP
PKG 。
DWG 。 ＃
M28.15
28 Ld的SSOP （无铅） M28.15
28 Ld的SSOP （无铅） M28.15
注意事项：
1. Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止
完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2.添加“ -T”的磁带和卷轴。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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