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ISL6614
数据表
2005年7月25日
FN9155.4
双路高级同步整流
与保护降压MOSFET驱动器
特点
该ISL6614集成了两个ISL6613 MOSFET驱动器，
专门设计用于驱动两个独立的电源
在多相交错式降压转换器通道
拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或ISL65xx
多相降压PWM控制器和N沟道
的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案
先进的微处理器。
该ISL6614驱动两个上部和下部闸门
同时在一定范围的从5V至12V 。该驱动器 -
电压提供必要优化的灵活性
涉及栅极电荷之间的权衡应用
传导损耗。
一种先进的自适应零贯通保护
整合，以防止上部和下部的MOSFET
同时导通，并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前， VCC超过其导通阈值，在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压
然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （多个）启动期间被短路。在过
温保护功能可以防止故障导致
从通过关闭输出过大的功率耗散
当它的结点温度超过150℃ （典型地） 。该
驱动程序重置一旦其结温恢复到108℃
（典型值） 。
该ISL6614还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
•引脚对引脚兼容HIP6602 SOIC家人更好
性能及额外的保护功能
•四N沟道MOSFET驱动器的两个同步
整流桥
•先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS （ ON）
传导失调的影响
•可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
•内部自举肖特基二极管
•自举电容防过度充电
•支持高开关频率（最高可达1MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
•三态PWM输入输出级关闭
•三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
•预POR过压保护+保护
• VCC欠压保护
•过温保护（ OTP）用42 ℃的迟滞
•可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
• QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
•无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
•核心稳压器和英特尔®微处理器AMD®
•高电流DC -DC转换器
•高频和高效率VRM和VRD
相关文献
•技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
•技术简介400和417的动力传动系设计，
布局指南，并反馈补偿设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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