RFD14N05L , RFD14N05LSM , RFP14N05L
数据表
1999年4月
网络文件编号
2246.3
14A , 50V , 0.100欧姆,逻辑电平,
N沟道功率MOSFET
这些是N沟道功率MOSFET,采用制造
在MegaFET过程。这个过程中,它使用特征
尺寸接近LSI集成电路,使
硅的最佳利用,造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器,开关转换器,电机
驱动器和继电器驱动器。这样的表现完成
通过特殊的栅极氧化层设计,提供全额定
在导在3V -5V范围栅极偏置,从而
直接推动真正的开关电源控制的逻辑电平
(5V)的集成电路。
以前发育类型TA09870 。
特点
• 14A , 50V
• r
DS ( ON)
= 0.100Ω
•温度补偿PSPICE模型™
•可以直接从CMOS , NMOS和驱动
TTL电路
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线
• 175
o
C的工作温度
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFD14N05L
RFD14N05LSM
RFP14N05L
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
14N05L
14N05L
FP14N05L
符号
D
G
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴,即RFD14N05LSM9A 。
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏极(法兰)
门
来源
JEDEC TO- 252AA
漏极(法兰)
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极(法兰)
6-135
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
PSPICE ™是是MicroSim公司的商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
©
Intersil公司1999