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IPT2506-CEB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IPT2506-CEB
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内容描述: 高的电流密度,由于增加一倍台面技术 [High current density due to double mesa technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 212 K
品牌: IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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IPT2506-xxB  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25 unless otherwise specified)  
IPT2506-xxB  
Symbol  
Test Condition  
Quadrant  
Unit  
BE  
35  
CE  
35  
DE  
50  
IGT  
I II III  
I II III  
MAX  
MAX  
mA  
V
VD = 12V RL = 33Ω  
Tj = 25 ℃  
VGT  
1.3  
VD=VDRM, RL=3.3KΩ,  
Tj = 125 ℃  
VGD  
IL  
I II III  
MIN  
0.2  
V
I III  
70  
80  
50  
500  
-
70  
80  
50  
500  
-
80  
100  
75  
1000  
-
IG = 1.2 IGT, Tj = 125 ℃  
MAX  
mA  
II  
IH  
IT = 500mA Gate open  
MAX  
MIN  
mA  
dV/dt  
VD = 67% VDRM gate open Tj = 125 ℃  
(dV/dt) c=0.1V/us Tj = 125 ℃  
(dV/dt) c=10V/us Tj = 125 ℃  
Without snubber Tj = 125 ℃  
V/us  
(dI/dt)c  
MIN  
-
-
-
A/ms  
13  
13  
22  
STATIC CHARACTERISTICS  
Symbol  
VTM  
Test Conditions  
Value (MAX)  
Unit  
ITM = 28A, t p = 380uS  
Tj = 25 ℃  
Tj = 25 ℃  
Tj = 125 ℃  
1.55  
10  
3
V
IDRM  
VD = VDRM  
VR = VRRM  
uA  
mA  
IRRM  
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Rth (j c)  
Junction to case (AC)  
0.8  
/W  
4F, Cheong won B/D, 269 Hyoje-dong, Jongno-gu, Seoul, 110-480 Korea  
TEL : +82-70 - 7574 - 2839, Fax : +82-2-6280-6382, sales@ipsemiconductor.com  
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