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IPS1225-40B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IPS1225-40B
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内容描述: 可控硅整流器器 [silicon controlled rectifiers]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 4 页 / 216 K
品牌: IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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IP半导体有限公司
IPS1225系列可控硅整流器是
专为中等功率开关设计
相位控制应用。
高电流密度由于双台面童占梅;
用SIPOS和玻璃钝化技术具有可靠
运行在高达125 ℃的结温。低糖耐量低减的部分
可用。
典型的应用是在整流(软启动)和
这些产品被设计为与国际使用
recetifier输入二极管,开关和输出recetifiers
这是可以在相同的封装外形。
IPS1225-xxB
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/ V
RRM
V
TM
价值
25
1200
≤ 1.6
单位
A
V
V
TO-220B
绝对最大额定值
参数
通态电流有效值(TC = 110 ℃ , 180°传导半正弦波)
通态平均电流(TC = 110 ℃ , 180°传导半正弦波)
存储结温范围
工作结温范围
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
非重复峰值断态电压
非重复峰值反向电压
TJ = 250
TJ = 250
TJ = 250
TJ = 250
符号
I
T( RMS )
I
T( AV )
TSTG
Tj
V
DRM
V
RRM
V
帝斯曼
V
RSM
价值
25
16
-40到+150
-40到+125
1200
1200
1300
1300
250
单位
A
A
V
V
一个周期的非重复浪涌电流, ​​10ms的正弦波脉冲,额定VRRM
应用的
I
TSM
一个周期的非重复浪涌电流, ​​10ms的正弦波脉冲,无电压
应用的
I了价值融合, 10ms的正弦波脉冲,额定VRRM应用
I了
I了价值融合, 10ms的正弦波脉冲,不施加电压时
在电流(I - 翻临界上升率
G
= 2×我
GT ,
TJ = 125 ℃ )
栅极峰值电流
平均门功耗
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
A
260
310
A²s
320
100
4
1
A /美
A
W
t
P = 20US , TJ = 125 ℃
TJ = 125 °
4F ,畅赢了B / D, 269 Hyoje洞,钟路区,首尔,韩国110-480
电话: + 82-70-7574-2839传真: + 82-2-6280-6382 , sales@ipsemiconductor.com
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