IPS812-xxB
电气特性
( TJ = 25
℃
除非另有规定编)
IPS812-xxB
符号
I
GT
V
GT
测试条件
05
触发所需的直流栅极电流
所需的直流电压来触发
(阳极电源= 6V ,电阻性负载)
直流栅极电压不触发
最大
最大
5
1.3
15
15
单位
mA
V
V
GD
I
L
I
H
dv / dt的
(
TJ = 110 ℃ ,V
DRM
=额定值)
I
G =
1.2 I
GT
保持电流
V
D
= 67% V
DRM
门敞开着TJ = 125
℃
最大
最大
最大
民
30
15
40
0.2
60
30
200
V
mA
mA
V /美
静态特性
符号
V
TM
测试条件
I
TM
= 24A , TP = 380uS
V
D
= V
DRM
TJ = 250
TJ = 250
TJ = 125 °
价值
(最大)
1.6
5
2
单位
V
uA
mA
I
DRM /
I
RRM
V
R
= V
RRM
热阻
符号
R
th
(J - C )
参数
结到外壳
TO-220B
价值
2.8
单位
℃/W
4F ,畅赢了B / D, 269 Hyoje洞,钟路区,首尔,韩国110-480
电话: + 82-70-7574-2839传真: + 82-2-6280-6382 , sales@ipsemiconductor.com
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