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IPT04Q06-SEI 参数 Datasheet PDF下载

IPT04Q06-SEI图片预览
型号: IPT04Q06-SEI
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内容描述: 高的电流密度,由于增加一倍台面技术 [High current density due to double mesa technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 228 K
品牌: IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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IP半导体有限公司
高的电流密度,由于双台面工艺;
SIPOS和玻璃钝化。 IPT04Q06 -XX系列
适用于一般用途的交流开关。
它们可以用作一个开/关功能。在应用
如静态继电器,加热调节,感应
电机说明电路...或相位控制操作
调光器,电机速度控制器。
IPT04Q06-xxI
IPAK(TO-251)
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/ V
RRM
I
GT
价值
4
600
5至25
单位
A
V
mA
绝对最大额定值
参数
存储结温范围
工作结温范围
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
非重复峰值断态电压
非重复峰值反向电压
RMS通态电流
(全正弦波)
TJ = 250
TJ = 250
TC = 105 ℃
F = 60Hz的T = 16.7毫秒
F = 50 Hz的T = 20毫秒
符号
TSTG
Tj
V
DRM
V
RRM
V
帝斯曼
V
RSM
I
T( RMS )
I
TSM
I了
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
价值
-40到+150
-40到+125
600
600
700
700
4
38
35
6
50
4
1
单位
V
V
A
A
A²s
A /美
A
W
不重复浪涌峰值通态电流
(全循环, TJ = 25 ℃ )
对于融合I了价值
t
P = 10ms的
通态电流临界上升率
I
G
= 2xI
GT
,
t
ř ≤ 100ns内, F = 120Hz的, TJ = 125
栅极峰值电流
平均门功耗
t
P = 20US , TJ = 125
TJ = 125
4F ,畅赢了B / D, 269 Hyoje洞,钟路区,首尔,韩国110-480
TEL : + 82-70 - 7574 - 2839 ,传真: + 82-2-6280-6382 , sales@ipsemiconductor.com
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