IPT1208-xxF
电气特性
（ TJ = 25
℃
除非另有规定编）
IPT1208-xxF
TE
I
GT
V
D
= 12V ř
L
= 30Ω
V
GT
V
GD
V
D
=V
DRM ，
R
L
=3.3KΩ,
TJ = 125
℃
I
G =
1.2 I
GT
II
I
H
dv / dt的
I
T =
100mA
V
D
= 67% V
DRM
门敞开着TJ = 125
℃
（的dV / dt ） c = 0.1V / us的TJ = 125
℃
（ di / dt的）C
（的dV / dt ）C = 10V / us的TJ = 125
℃
如果没有缓冲TJ = 125
℃
民
最大
民
I – II – III
I – II – III
I – II – III
I – III
I
L
最大
15
10
20
3.5
1.0
-
30
15
40
6.5
2.9
-
60
35
500
-
-
6.5
80
50
1000
-
-
12
A / MS
mA
V /美
最大
最大
民
10
25
5
SE
10
1.3
0.2
50
70
mA
CE
35
BE
50
mA
V
V
符号
测试条件
象限
单位
静态特性
符号
V
TM
I
DRM
I
RRM
测试条件
I
TM
= 17A ，T P = 380uS
V
D
= V
DRM
V
R
= V
RRM
TJ = 125
℃
TJ = 125
℃
TJ = 125
℃
值（最大值）
1.55
5
1
单位
V
uA
mA
热阻
符号
R
th
（J - C ）
参数
结到外壳（ AC）
价值
3.3
单位
℃/W
4F ，畅赢了B / D， 269 Hyoje洞，钟路区，首尔，韩国110-480
TEL ： + 82-70 - 7574 - 2839 ，传真： + 82-2-6280-6382 ， sales@ipsemiconductor.com
2
IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
