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IPT2006-DEA 参数 Datasheet PDF下载

IPT2006-DEA图片预览
型号: IPT2006-DEA
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内容描述: 高的电流密度,由于增加一倍台面技术 [High current density due to double mesa technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 195 K
品牌: IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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IP半导体有限公司
高的电流密度,由于双台面工艺;
SIPOS和玻璃钝化。 IPT2006 -XX系列
适用于一般用途的交流开关。
它们可以用作一个开/关功能。在应用
如静态继电器,加热调节,感应
电机说明电路...或相位控制操作
调光器,电机速度控制器。
IPT2006 -XX系列是3象限三端双向可控硅,这是专
建议在电感性负载..
该IPT2006 - XXA (绝缘版)系列隔离
在内部,他们提供了从2500V RMS的隔离电压
所有这三个端子外部散热器。
IPT2006-xxA
TO-220A
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/ V
RRM
V
TM
价值
20
600
≤ 1.65
单位
A
V
V
绝对最大额定值
参数
存储结温范围
工作结温范围
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
非重复峰值断态电压
非重复峰值反向电压
RMS通态电流
( 360°导通角)
TJ = 250
TJ = 250
TC = 90 ℃
T = 8.3ms的
T = 10ms的
符号
TSTG
Tj
V
DRM
V
RRM
V
帝斯曼
V
RSM
I
T( RMS )
I
TSM
I了
重复F = 50Hz的
不重复
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
价值
-40到+150
-40到+125
600
600
700
700
20
210
200
200
20
100
8
1
单位
V
V
A
A
A²s
A /美
A
W
不重复浪涌峰值通态电流
(全循环, TJ = 25 ℃ )
对于融合I了价值
t
P = 10ms的
通态电流临界上升率
门源:我
G
= 500毫安DIG / DT = 1A /美国
栅极峰值电流
平均门功耗
t
P = 20US , TJ = 125
TJ = 125
4F ,畅赢了B / D, 269 Hyoje洞,钟路区,首尔,韩国110-480
TEL : + 82-70 - 7574 - 2839 ,传真: + 82-2-6280-6382 , sales@ipsemiconductor.com
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