IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN
顶部外露电源模块器件
为
DC-DC
应用提供卓越效率
2014
年
8
月
13
日
全球功率半导½和管理方案领导厂商 – ½际整流器公司
(International Rectifier，简称 IR)
推出
IRFHE4250D FastIRFET
双功
率
MOSFET，藉以扩充电源模块组件系列。新款 25V
器件在
25A
的电流下½够比其它顶级的传统电源模块产品减少
5%以上
的功率损耗，适用于
12V
输入
DC-DC
同步降压应用，包括先进的电信和½络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本
(Ultrabook)
和笔记本电脑等。
IRFHE4250D
配备
IR
新一代硅技术，
并采用了适合背面贴装的
6×6 PQFN
顶部外露纤薄封装，
为电源模块带来更多封装选择。
这款封装结合了出色的散热性½、½导通电阻
(Rds(on))
与栅极电荷
(Qg)，提供卓越的功率密度和较½的开关损耗，从而缩
减电路板尺寸，提升整½系统效率。
IR
亚太区销售副总裁½大伟表示：
“高达
60A
额定值的
IRFHE4250D FastIRFET MOSFET
是全球首款顶部外露电源模块器件，
提供行业领先的功率密度，有效满足要求顶尖效率的高性½
DC-DC
应用。”
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