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    IRFP250N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFP250N图片预览
    型号： IRFP250N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET （ VDSS = 200 V， RDS（ON） = 0.075ohm ，ID = 30A ） [Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 122 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRFP250N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFP250N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFP250N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFP250N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFP250N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFP250N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFP250N的Datasheet PDF文件第8页  
    IRFP250N
    R
    D
    35
    35
    V
    DS
    V
    GS
    D.U.T.
    +
    V
    DD
    30
    30
    R
    G
    I
    D
    , Drain Current (A)
    I
    D
    , Drain Current (A)
    25
    25
    20
    20
    15
    15
    10
    10
    5
    5
    0
    0
    25
    25
    50
    50
    75
    75
    100
    100
    125
    125
    150
    150
    °
    175
    175
    -
    10V
    Pulse Width
    ≤ 1
    µs
    Duty Factor
    ≤ 0.1 %
    Fig 10a.
    Switching Time Test Circuit
    V
    DS
    90%
    T
    C
    , Case Temperature ( C)
    T
    C
    , Case Temperature ( ° C)
    10%
    V
    GS
    t
    d(on)
    t
    r
    t
    d(off)
    t
    f
    Fig 9.
    Maximum Drain Current Vs.
    Case Temperature
    1
    Fig 10b.
    Switching Time Waveforms
    Thermal Response(Z
    thJC
    )
    D = 0.50
    0.20
    0.1
    0.10
    0.05
    0.02
    0.01
    SINGLE PULSE
    (THERMAL RESPONSE)
    P
    DM
    t
    1
    t
    2
    Notes:
    1. Duty factor D = t
    1
    / t
    2
    2. Peak T
    J
    = P
    DM
    x Z
    thJC
    + T
    C
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    0.01
    0.00001
    t
    1
    , Rectangular Pulse Duration (sec)
    Fig 11.
    Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
    www.irf.com
    5

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