IPS042G
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绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数REF-
所引用，以SOURCE领先。 （ T环境= 25
o
C除非另有说明） 。 PCB安装使用标准的足迹与70
µm
铜的厚度。
符号参数
VDS
VIN
IIN，最大
ISD
续。
最大漏极至源极电压
最大输入电压
最大电流
二极管最大。连续电流
(1)
（所有Isd的氧化物半导体场效应晶体管， RTH = 125
o
C / W ）
ISD
脉冲
二极管最大。脉冲电流
(1)
(1)
P
d
最大功率耗散
（所有的MOSFET钯， RTH = 125
o
C / W ）
ESD1
ESD2
牛逼STOR 。
TJ最大。
静电放电电压
（人体）
静电放电电压
（机器型号）
马克斯。储存温度
最大。结温
分钟。
—
-0.3
-10
—
—
—
—
—
-55
-40
马克斯。
47
7
+10
1.2
3
1
4
0.5
150
+150
单位
V
mA
测试条件
A
W
C = 100pF的， R = 1500Ω ，
kV
o
C = 200pF的， R = 0Ω ， L = 10μH
C
热特性
符号参数
Rth1
Rth2
Rth3
与标准的足迹热阻
（ 2的MOSFET上）
与标准的足迹热阻
（ 1 MOSFET上）
与1"方占用热阻
（ 2的MOSFET上）
分钟。
—
—
—
典型值。
100
125
65
马克斯。单位测试条件
—
—
—
o
C / W
推荐工作条件
这些值给出了一个快速的设计。对于这些条件之外的操作，请参考应用笔记。
符号参数
连续漏极至源极电压
高电平输入电压
低电平输入电压
连续漏电流（两个MOSFET在这个电流）
o
环境温度Tamb = 85℃
TAMBIENT = 85
o
C， IN = 5V ， RTH = 100
o
C / W ， TJ = 125
o
C
凛
串联电阻推荐使用IN引脚
的Tr中（最大）最大推荐的上升时间为IN信号（参见图2）
FR-电流Isc
(2)
马克斯。频率短路状态（VCC = 14V ）
Vds的（最大）
VIH
VIL
我的ds
分钟。
—
4
0
—
1
—
0
马克斯。
35
6
0.5
0.53
5
1
1
单位
V
A
k
Ω
µ
S
千赫
（ 1 ）限制受结温（脉冲电流还受内部布线）
（2）操作在较高的开关频率是可能的。见APPL 。注释。
2
www.irf.com
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
