数据表号PD60195 -D
IR2010(
S
) & (的PbF )
特点
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高端和低端驱动器
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
延迟匹配
200V最大。
3.0A / 3.0A (典型值) 。
10 - 20V
95 & 65纳秒(典型值) 。
15 ns(最大值) 。
•
设计为引导操作浮动通道
全面运行至200V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10〜 20V
欠压锁定两个通道
兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
关闭输入关闭两个通道
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
也可用LEAD -FREE
应用
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D类音频类放大器
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高功率DC -DC SMPS转换器
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其它高频应用
套餐
描述
该IR2010是一款高功率,高电压,高速功率MOSFET和IGBT
具有独立的高侧和低侧参考输出通道,适用于音频驱动程序
D类和DC-DC转换器的应用程序。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出,下降到3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲
电流缓冲级,最小驱动器跨导。 DE-传播
千红进行匹配,以简化在高频应用中使用。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧的配置
化其工作频率高达200伏。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技
nologies使坚固耐用的单片式结构。
14引脚PDIP
16引脚SOIC
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
200V
TO
负载
(请参阅铅作业的正确配置) 。这个/这些图( S)只显示电气连接。
请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
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