初步数据表号PD60043J
IR2101/IR21014
IR2102/IR21024
高端和低端驱动器
特点
•
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10〜 20V
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
输出同相输入端( IR2101 / IR21014 )或
异相输入端( IR2102 / IR21024 )
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
(典型值)。
延迟匹配
600V最大。
130毫安/ 270毫安
10 - 20V
160 & 150纳秒
50纳秒
•
•
•
•
•
描述
该IR2101 / IR21014 / IR2102 / IR21024是高电压,
高速功率MOSFET和IGBT驱动器与IN-
依靠高,低侧参考输出信
内尔斯。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技
nologies使坚固耐用的单片式结构。该
逻辑输入与标准CMOS或LSTTL兼容
输出。输出驱动器具有高脉冲电流
缓冲级,最低驱动跨传导
化。浮置沟道,可用于驱动一个N
在高端CON-沟道功率MOSFET或IGBT
成形而工作频率高达600伏。
套餐
8引脚SOIC
14引脚SOIC
8引脚PDIP
14引脚PDIP
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
高达600V
V
CC
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2101
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2102