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IR2113 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IR2113
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内容描述: 高端和低端驱动器 [HIGH AND LOW SIDE DRIVER]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 15 页 / 273 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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数据表号PD60147 -L
IR2110/IR2113
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 500V或600V +
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10〜 20V
欠压锁定两个通道
独立的逻辑电源电压范围为5〜 20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
产品概述
V
OFFSET
(IR2110)
(IR2113)
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
(典型值)。
延迟匹配
500V最大。
600V最大。
2A / 2A
10 - 20V
120 & 94纳秒
10纳秒
描述
该IR2110 / IR2113的高电压,高转速
功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立
高,低侧参考输出通道。亲
专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术
使坚固耐用的单片式结构。逻辑IN-
看跌期权与标准CMOS或LSTTL兼容
输出。输出驱动器具有高脉冲
电流缓冲级,最低驱动
跨导。传播延迟匹配
为了简化在高频应用中使用。该
浮动通道可以用来驱动一个N沟道
在高端的配置的功率MOSFET或IGBT
化其工作频率高达500或600伏。
套餐
14引脚PDIP
IR2110/IR2113
14引脚PDIP
W / O型铅4
IR2110-1/IR2113-1
16引脚PDIP
W / O型导致4 & 5
IR2110-2/IR2113-2
16引脚SOIC
IR2110S/IR2113S
典型连接
高达500V
或600V
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
TO
负载
www.irf.com
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