IR2111 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IR2111
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内容描述：	半桥驱动器 [HALF-BRIDGE DRIVER]
分类和应用：	驱动器
文件页数/大小：	7 页 / 250 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

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指数

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数据表号PD- 6.028C

IR2111

半桥驱动器

特点

设计为引导操作浮动通道

充分运作，以+ 600V

耐负瞬态电压

的dV / dt免疫

栅极驱动电压范围为10〜 20V

欠压锁定两个通道

CMOS施密特触发与下拉输入

匹配的传播延迟为两个通道

内部设置死区时间

高侧输出的同相输入

产品概述

OFFSET

+/-

OUT

开/关

（典型值）。

死区时间（典型值）。

600V最大。

200毫安/ 420毫安

10 - 20V

850 & 150纳秒

700纳秒

描述

该IR2111是一种高电压，高转速动力

MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖性高，

低侧参考输出通道设计

半桥应用。专有的HVIC和锁存器

免疫CMOS技术使加固

单片式结构。逻辑输入兼容

与标准CMOS输出。输出驱动器

具有高脉冲电流缓冲级，

最小驱动器跨导。国内

设置死区时间，以避免直通的

输出的半桥。浮置沟道可以用于

以驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT

它的工作频率高达偏高的配置

600伏。

套餐

典型连接

高达600V

负载

COM

TO ORDER

ONTROL

NTEGRATED

IRCUIT

ESIGNERS

ANUAL

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