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IR2111S 参数 Datasheet PDF下载

IR2111S图片预览
型号: IR2111S
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内容描述: 半桥驱动器 [HALF-BRIDGE DRIVER]
分类和应用: 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 155 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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数据表号PD60028 -M
IR2111 (S ) & (的PbF )
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10〜 20V
欠压锁定两个通道
CMOS施密特触发与下拉输入
匹配的传播延迟为两个通道
内部设置死区时间
高侧输出的同相输入
也可用LEAD -FREE
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
(典型值)。
死区时间(典型值)。
600V最大。
200毫安/ 420毫安
10 - 20V
750 & 150纳秒
650纳秒
描述
套餐
该IR2111 ( S)是一种高电压,高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖性高,
低侧参考输出通道设计为半
桥的应用。专有的HVIC和锁存器
免疫CMOS技术使加固
单片式结构。逻辑输入与兼容
标准CMOS输出。输出驱动器具有
高脉冲电流缓冲级,最低
8引脚PDIP
驱动器跨导。提供内部死区时间
为避免直通输出半桥。该
浮动通道可以用来驱动一个N沟道
在工作频率高达600伏的高压侧配置功率MOSFET或IGBT 。
8引脚SOIC
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
IN
V
B
HO
V
S
TO
负载
IN
COM
LO
(请参阅铅作业的正确引脚配置) 。这个/这些图( s)显示的电连接
只。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
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