初步数据表号PD60030 rev.O
IR2213 （S） & （的PbF ）
高端和低端驱动器
特点
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设计为引导操作浮动通道
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充分运作，以+ 1200V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为12〜 20V
欠压锁定两个通道
兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
也可用无铅（的PbF ）
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
延迟匹配
1200V最大。
1.7A / 2A
12 - 20V
280 & 225纳秒
30纳秒
套餐
描述
该IR2213 （ S）是一种高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器，带有独立的高，
低侧参考输出通道。所有权
16引脚SOIC
HVIC和锁存免疫CMOS技术使
（宽体）
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入
14引脚PDIP
与标准CMOS或LSTTL输出兼容，
下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。传播延迟匹配
为了简化在高频应用中使用。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率
MOSFET或IGBT在其中工作频率高达1200伏的高压侧的配置。
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
高达1200V
TO
负载
（请参阅铅作业的正确引脚配置） 。这个/这些图（ s）显示电
连接而已。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
