数据表号PD60201 Rev.D
IR2301 (S) & (的PbF )
高端和低端驱动器
特点
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设计为引导操作浮动通道
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充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为5〜 20V
欠压锁定两个通道
3.3V , 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
同相输入输出
也可用无铅(的PbF )
套餐
8引脚PDIP
IR2301
8引脚SOIC
IR2301S
描述
二千三百零一分之二千一百零六// 2108 // 2109 /二千三百〇四分之二千三百〇二功能比较
的IR2301 ( S)的高电压,高速
交
输入
传导
功率MOSFET和IGBT驱动器与indepen-
死区时间
接地引脚
部分
预防
逻辑
凹痕高,低侧参考输出
逻辑
2106/2301
通道。专有的HVIC和锁存免疫
COM
HIN / LIN
no
无
21064
VSS / COM
CMOS技术使坚固耐用的单
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
岩屑建设。逻辑输入兼容
可编程0.54 〜 5
µs
21084
VSS / COM
与标准CMOS或LSTTL输出,下降到
2109/2302
内部540ns
COM
IN / SD
是的
3.3V逻辑。输出驱动器具有高
可编程0.54 〜 5
µs
21094
VSS / COM
脉冲电流缓冲级,最低
是的
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT ,其中可在高达高侧配置
600伏。
典型连接
高达600V
(请参阅铅
分配
正确的针连接
成形) 。这种/
牛逼ħ电子旗下ê
图(多个)
显示电
连接
只。请重新
FER我们的应用程序
阳离子笔记
和DesignTips
电路正常
电路板布局。
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2301
www.irf.com
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