IR6311G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IR6311G
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内容描述：	智能高侧MOSFET功率开关 [INTELLIGENT HIGH SIDE MOSFET POWER SWITCH]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 56 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

数据表6.124 -G

IR6311G

智能高侧MOSFET功率开关

特点

•

PWM电流限制短路保护

过温保护

有源输出钳位负

对于逻辑电路反向电池保护

残破的接地保护

短到Vcc保护

低噪声电荷泵

休眠模式下电源电流

4kV的ESD保护所有引脚

从电源地逻辑地隔离

CC （ OP ）

DS （ ON）

LIM

J（下标清）

应用

5v-50v

150m

Ω

170

100mJ

概述

该IR6311G是单片高压侧开关，内置

在短路，过温，防静电，电感性负载转

关能力和诊断反馈。

芯片上的保护电路进入PWM模式下，限制

短路时，如果漏极电流的平均电流

超过5A 。保护电路闭锁偏高

如果结温超过170开关

C和锁存器

对结点温度降低了10后

C.在Vcc的

（漏）到输出（源）电压有源钳位在55V ，

改进过程中关闭感性负载的性能。

芯片上的电荷泵高侧驱动器级是浮

并引用到功率MOSFET的源极。从而

的逻辑电源地隔离可高达50V 。

这允许操作具有较大的偏移，以及控制

在负载的能量再循环或再生的开关。

诊断引脚提供了短期的状态反馈

电路，过温度及负载开路检测功能。

•

电磁驱动器

•

可编程逻辑控制器

真值表

条件

正常

输出开路

输出短路

OUT

限流

PWM模式

输出短路

过热ħ

过度温升

框图

VCC

可用的软件包

SO8封装

GND

OUT

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