IRF1010EPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF1010EPBF
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内容描述：	HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 232 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 94965A

IRF1010EPbF

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 60V

DS （ ON）

= 12mΩ

= 84A

先进的HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

的TO- 220贡献电阻和低封装成本

在整个行业中的广泛接受。

描述

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

330

200

1.4

± 20

4.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.75

–––

单位

° C / W

www.irf.com

07/04/07

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