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IRF1404PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF1404PBF图片预览
型号: IRF1404PBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 198 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD-94968
IRF1404PbF
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
汽车合格( Q101 )
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 40V
R
DS ( ON)
= 0.004Ω
G
S
I
D
= 202A†
第七代HEXFET
®
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术,以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处,结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知的,提供了
设计师用一种极其有效和可靠的
装置,用于在各种各样的应用,包括使用
汽车。
在TO- 220封装普遍首选的所有
汽车,商业,工业应用的功率
耗散水平到约50瓦。低
热电阻及TO -220的低封装成本
有助于在整个行业中的广泛接受。
TO-220AB
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
202†
143†
808
333
2.2
± 20
620
看到图12a , 12b中,15,16
1.5
-55〜 + 175
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.45
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
02/02/04