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IRF1407PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF1407PBF图片预览
型号: IRF1407PBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 164 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 95485
汽车MOSFET
IRF1407PbF
典型应用
集成起动发电机
42伏汽车电气系统
LEAD -FREE
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 75V
G
S
好处
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
R
DS ( ON)
= 0.0078Ω
I
D
= 130A†
描述
专为汽车应用中,这种平面条纹
HEXFET设计
®
功率MOSFET采用了最新的处理
技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。
这HEXFET功率MOSFET的附加功能是175 ° C的结
工作温度,开关速度快,提高了重复的
雪崩额定值。这些优势结合起来,使这个设计非常
高效,可靠的装置,用于在汽车应用和各种用途
各种其它应用。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
130†
92†
520
330
2.2
± 20
390
看到图12a , 12b中,15,16
4.6
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.45
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
06/30/04