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IRF2804PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF2804PBF图片预览
型号: IRF2804PBF
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内容描述: 汽车MOSFET [AUTOMOTIVE MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 12 页 / 771 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 95332A
汽车MOSFET
特点
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
HEXFET
®
功率MOSFET
D
IRF2804PbF
IRF2804SPbF
IRF2804LPbF
V
DSS
= 40V
R
DS ( ON)
= 2.0mΩ
‰
G
S
描述
专为汽车应用,
这HEXFET
®
功率MOSFET采用了最新的
加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结操作
温度,开关速度快,提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎,使这个设计的一个非常有效的
而在汽车应用使用可靠的设备
tions和各种各样的其它应用。
I
D
= 75A
TO-220AB
IRF2804PbF
D
2
PAK
IRF2804SPbF
TO-262
IRF2804LPbF
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, V
GS
@ 10V (参见图9)中
连续漏电流, V
GS
@ 10V
(包装有限公司)
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量(热有限公司)
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
马克斯。
270
190
75
1080
300
2.0
± 20
540
1160
看到图12a , 12b中, 15,16
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
c
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
°C
c
i
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
焊接温度,持续10秒
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
参数
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
结到环境( PCB安装,稳态)
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.50
–––
62
40
l
单位
° C / W
j
HEXFET
®
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
08/25/05