IRF3415S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF3415S
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON） = 0.042ohm ，ID = 43A ） [Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	10 页 / 158 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 91509C

IRF3415S/L

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

表面贴装（ IRF3415S ）

通孔低调（ IRF3415L ）

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

DSS

= 150V

DS （ ON）

= 0.042Ω

= 43A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET

是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用

应用程序。

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

白是适合的，因为高电流应用

其较低的内部连接性，可以消散

高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF3415L ）可用于低

配置文件的应用程序。

D 2 P AK

T O服务-26 2

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

150

3.8

200

1.3

± 20

590

5.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

0.75

单位

° C / W

5/13/98

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