PD - 94972
汽车MOSFET
典型应用
●
●
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IRF3808PbF
HEXFET
®
功率MOSFET
D
集成起动发电机
42伏汽车电气系统
LEAD -FREE
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
V
DSS
= 75V
R
DS （ ON）
= 0.007Ω
好处
●
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G
S
I
D
= 140A
描述
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
专为汽车应用而设计的，这种高级
平面条形HEXFET ®功率MOSFET采用了最新的流程 -
荷兰国际集团技术来实现每个硅极低的导通电阻
区。这HEXFET功率MOSFET的其它功能都是175℃
结的工作温度，低RθJC ，开关速度快和
改进型重复雪崩额定值。这种组合使得
设计一个非常有效和可靠的选择。在更高的使用
动力汽车的电子系统和各种其它的
应用程序。
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
TO-220AB
马克斯。
140
97
550
330
2.2
± 20
430
82
看到图12a ， 12b中，15，16
5.5
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅•在（ 1.1N •m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.45
–––
62
单位
° C / W
HEXFET （R）是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
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02/02/04
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
