欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF4905SPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF4905SPBF图片预览
型号: IRF4905SPBF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 11 页 / 358 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
 浏览型号IRF4905SPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF4905SPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF4905SPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF4905SPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF4905SPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF4905SPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF4905SPBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF4905SPBF的Datasheet PDF文件第9页  
PD - 97034
IRF4905SPbF
IRF4905LPbF
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
150 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
有些参数是从Differrent
IRF4905S
LEAD -FREE
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= -55V
R
DS ( ON)
= 20mΩ
G
S
I
D
= -42A
D
描述
这种设计的特点是在150 ℃的结能操作
阿婷温度,开关速度快, im-
事实证明重复雪崩额定值。这些功能
相结合,使这种设计非常有效的
和可靠的装置,用于在各种其它的用途
应用程序。
D
G
D
S
G
D
S
D
2
PAK
IRF4905SPbF
G
D
TO-262
IRF4905LPbF
S
绝对最大额定值
参数
马克斯。
-70
-44
-42
-280
170
1.3
± 20
来源
单位
A
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
@ 10V
(硅有限公司)
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流, V
GS
@ 10V
(硅有限公司)
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
@ 10V
(包装有限公司)
I
DM
漏电流脉冲
™
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
V
GS
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
E
AS (限热)
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
d
单脉冲雪崩能量测试值
Ù
h
140
790
看到图12a , 12b中,15,16
-55到+ 150
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
g
i
°C
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅的( 1.1N M)
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
热阻
R
θJC
R
θJA
结到外壳
y
y
j
参数
典型值。
马克斯。
0.75
40
单位
结到环境( PCB安装,稳态)
ij
–––
–––
www.irf.com
1
8/5/05