IRF5305S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF5305S
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） [Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 172 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 91386C

IRF5305S/L

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

表面贴装（ IRF5305S ）

通孔低调（ IRF5305L ）

175 ° C工作温度

快速开关

P沟道

全额定雪崩

描述

DSS

= -55V

DS （ ON）

= 0.06Ω

= -31A

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET

是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用

应用程序。

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

白是适合的，因为高电流应用

其较低的内部连接性，可以消散

高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF5305L ）可用于低

配置文件的应用程序。

D 2 P AK

T O服务-26 2

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-31

-22

-110

3.8

110

0.71

± 20

280

-16

-5.8

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

1.4

单位

° C / W

4/1/99

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案