IRF540NSPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF540NSPBF
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内容描述：	HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	11 页 / 280 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 95130

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

描述

IRF540NSPbF

IRF540NLPbF

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 100V

DS （ ON）

= 44mΩ

先进的HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻元

硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师用一种极其有效和可靠的

装置，用于在各种各样的应用中使用。

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

白是适合的，因为高电流应用

其较低的内部连接性和功耗最高

到2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF540NL ）可用于低

配置文件的应用程序。

= 33A

PAK

IRF540NSPbF

TO-262

IRF540NLPbF

绝对最大额定值

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

参数

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

110

130

0.87

± 20

7.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

典型值。

–––

马克斯。

1.15

单位

° C / W

www.irf.com

3/18/04

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