IRF640NSPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640NSPBF
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内容描述：	HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 297 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 95046

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

易于并联的

简单的驱动要求

LEAD -FREE

描述

IRF640NPbF

IRF640NSPbF

IRF640NLPbF

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 200V

DS （ ON）

= 0.15Ω

第五代HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻元

硅片面积。这样做的好处，结合快速开关

速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个

极其有效的和为在一个广泛使用的可靠装置

各种应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功耗水平

到大约50瓦。的低热阻和

在TO- 220封装低的成本促进其广泛

接受整个行业。

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

白是适合的，因为高电流应用其

较低的内部连接性和功耗最高

2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF640NL ）可用于低

配置文件应用程序。

= 18A

TO-220AB

IRF640NPbF

PAK

IRF640NSPbF

TO-262

IRF640NLPbF

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

150

1.0

± 20

247

8.1

-55到+175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

www.irf.com

2/25/04

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