IRF640S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640S
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.18ohm ，ID = 18A ） [Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	10 页 / 230 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD -90902B

IRF640S/L

HEXFET

功率MOSFET

表面贴装（ IRF640S ）

通孔低调（ IRF640L ）

可在磁带&卷（ IRF640S ）

动态的dv / dt额定值

150 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

DSS

= 200V

DS （ ON）

= 0.18Ω

= 18A

描述

国际整流器第三代HEXFETs提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高

功率能力和尽可能低的导通电阻，在任何

现有的表面贴装封装。对D

白是适合于高

由于其较低的内部连接的当前应用程序

性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面

安装application.The通孔版（ IRF640L ）是

适用于薄型应用。

D 2 P AK

T O服务-26 2

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

3.1

130

1.0

± 20

580

5.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

1.0

单位

° C / W

www.irf.com

7/20/99

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