PD - 94574B
HEXFET
®
功率MOSFET
l
IRF6607
QG （典型值）。
50nC
专用的MOSFET
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
低传导损耗
l
高与Cdv / dt抗扰性
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面
安装技术
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
最大
3.3mΩ@V
GS
= 10V
4.4mΩ@V
GS
= 4.5V
MT
MX
MT
的DirectFET ？等距
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.9,10了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
描述
该IRF6607结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装
为实现最低的导通电阻中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。该
DirectFET封装与功率应用中使用现有的几何布局，PCB组装设备和兼容
汽相，红外线或对流焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于
制造方法和过程。 DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高热传递
动力系统方面，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6607平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了传导
灰和开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器，电源
最新一代的在较高频率下操作的处理器。该IRF6607进行了优化参数
在同步降压转换器，包括RDS（ON） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力至关重要。该
IRF6607提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv / dt抗扰性的同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
马克斯。
30
±12
94
27
22
220
3.6
2.3
42
0.029
-40〜 + 150
单位
V
A
g
g
c
W
W / ℃，
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
fj
gj
hj
ij
典型值。
–––
12.5
20
–––
–––
马克斯。
35
–––
–––
3.0
1.0
单位
° C / W
笔记
通过
在第11页
www.irf.com
1
4/8/04
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
