IRF7101 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7101
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	9 页 / 265 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 9.871B

IRF7101

HEXFET

功率MOSFET

Adavanced工艺技术

超低导通电阻

双N沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

动态的dv / dt额定值

快速开关

描述

DSS

= 20V

DS （ ON）

= 0.10Ω

= 3.5A

顶视图

从国际第四代HEXFETs

整流器采用先进的加工技术，

实现尽可能低的导通电阻的每个硅

区。这样做的好处，结合快速开关

速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计者在一个非常有效的装置，用于使用

各种各样的应用程序。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

双芯片的能力使其成为理想中的各种力量

应用程序。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

大于0.8W的功耗有可能在

一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

S 0 -8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

Sodering温度，保持10秒

马克斯。

3.5

2.3

2.0

0.016

± 12

3.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

θJA

最大结点到环境

分钟。

–––

典型值。

–––

最大

62.5

单位

° C / W

8/25/97

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