IRF7103Q 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7103Q
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 50V ） [Power MOSFET(Vdss=50V)]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	10 页 / 170 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 93944C

汽车MOSFET

典型应用

IRF7103Q

HEXFET

功率MOSFET

防抱死制动系统（ ABS ）

电喷

功率门，窗&座椅

先进的工艺技术

双N沟道MOSFET

超低导通电阻

175 ° C工作温度

重复性雪崩中允许多达TJMAX

汽车[ Q101 ]合格

DSS

50V

DS （ ON）

MAX（ MΩ）

Ω)

130@V

= 10V

200@V

= 4.5V

3.0A

1.5A

好处

描述

专为汽车应用中，这些

HEXFET

功率MOSFET的一个双SO- 8封装应用

在最新的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这些附加特征

汽车合格HEXFET功率MOSFET的是175℃

结的工作温度，快速开关速度和

改进型重复雪崩额定值。这些优势结合起来

使这种设计非常有效和可靠的装置

在汽车应用中使用和各种其它的

应用程序。

高效率的SO -8封装提供了增强的热

特性和双MOSFET管芯的能力使其成为理想

在各种功率应用。这种双重，表面贴装

SO- 8可显着减少电路板空间，也可

T O服务P V IE W¯¯

SO-8

在磁带&卷轴。

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 4.5V

连续漏电流， V

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩EnergyT

雪崩CurrentQ

重复性雪崩EnergyV

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

3.0

2.5

2.4

± 20

参见图16C ， 16D ， 19 ， 20

-55〜 + 175

单位

毫瓦/°C的

V / ns的

°C

热阻

符号

θJL

θJA

参数

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

www.irf.com

03/14/02

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