PD - 9.1098B
初步
IRF7106
N沟道MOSFET
1
8
HEXFET
®
功率MOSFET
先进的工艺技术
超低导通电阻
双N和P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
动态的dv / dt额定值
快速开关
描述
国际整流器第四代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每硅片
区。这样做的好处，结合快速开关速度和加固装置
设计的量HEXFET功率MOSFET是众所周知，为设计者提供
用一个非常有效的装置，用于在各种各样的应用中使用。
采用SO-8已经通过定制的引线框架，可增强被修改
热特性和多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多个器件可以在使用
应用程序极大地降低了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波焊技术。更大的功耗
超过0.8W能够在典型的印刷电路板安装的应用程序。
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
20V
P沟道
-20V
2
7
3
6
4
5
R
DS （ ON）
0.125
Ω
0.20
Ω
I
D
3.0A
-2.5A
P沟道MOSFET
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
N沟道
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
3.0
2.5
10
2.0
0.016
± 20
3.0
-55到+ 150
-3.0
马克斯。
P沟道
-2.5
-2.0
-10
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θ
JA
结到环境（印刷电路板安装） **
分钟。
––––
典型值。
––––
马克斯。
62.5
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
修订版3
69
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
