IRF7240 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7240
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	9 页 / 229 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD- 93916

IRF7240

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

DSS

-40V

DS （ ON）

最大

0.015@V

= -10V

0.025@V

= -4.5V

-10.5A

-8.4A

描述

从国际这些P沟道MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现每个硅极低的导通电阻

区。这样做的好处为设计者提供了一个

非常有效的装置，电池和负载使用

管理应用程序..

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波焊工艺。

T O服务P V IE W¯¯

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

功耗？

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-40

-10.5

-8.6

-43

2.5

1.6

± 20

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境？

马克斯。

单位

° C / W

www.irf.com

3/6/01

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