IRF7313 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7313
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲光电二极管局域网
文件页数/大小：	7 页 / 546 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 91480B

IRF7313

第五代技术

超低导通电阻

双N沟道MOSFET

表面贴装

全额定雪崩

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 30V

DS （ ON）

= 0.029Ω

顶视图

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

描述

SO-8

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

符号

dv / dt的

英镑

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 25°C

= 70°C

最大

单位

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

= 25°C

最大功率耗散

= 70°C

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

± 20

6.5

5.2

2.5

2.0

1.3

4.0

0.20

5.8

-55到+ 150

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

θJA

极限

62.5

单位

° C / W

9/12/02

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