IRF7328 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7328
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 109 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD -94000

IRF7328

HEXFET

功率MOSFET

沟槽技术

超低导通电阻

双P沟道MOSFET

可在磁带卷&

DSS

-30V

DS （ ON）

最大

21mΩ@V

= -10V

32mΩ@V

= -4.5V

-8.0A

-6.8A

描述

新沟HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，并结合

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在电池和负载管理应用。

T O服务P V IE W¯¯

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

, T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-30

-8.0

-6.4

-32

2.0

1.3

± 20

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

马克斯。

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

10/04/00

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