IRF7338 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7338
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 193 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 94372C

IRF7338

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

双N和P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

N沟道MOSFET

N沟道

DSS

12V

P沟道

-12V

P沟道MOSFET

DS （ ON）

0.034Ω 0.150Ω

顶视图

描述

从国际这些N和P沟道MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

非常低的导通电阻每硅片面积。这

效益为设计者提供了一个非常有效的

装置，用于在电池和负载管理使用

应用程序。

这双SO- 8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力，因此非常适合于各种功率

应用程序。有了这些改进，多个设备

可以在应用程序中使用显着地减少

电路板空间。该软件包是专为气相，

红外或波峰焊技术。

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏极至源极电压

连续漏电流， V

@ 4.5V

连续漏电流， V

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

N沟道

6.3

5.2

2.0

1.3

±12

-55到+ 150

± 8.0

P沟道

-12

-3.0

-2.5

-13

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

符号

θJL

θJA

参数

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

6/2/03

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