IRF7341Q 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7341Q
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	9 页 / 157 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 94391B

IRF7341Q

典型应用

•

防抱死制动系统（ ABS ）

•

电喷

•

气囊

HEXFET

功率MOSFET

DSS

55V

DS （ ON）

最大

0.050@V

= 10V

0.065@V

= 4.5V

5.1A

4.42A

好处

•

先进的工艺技术

双N沟道MOSFET

超低导通电阻

175 ° C工作温度

重复性雪崩中允许多达TJMAX

汽车[ Q101 ]合格

描述

专为汽车应用中，这些

HEXFET ®功率MOSFET在一个双SO- 8封装应用

在最新的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这些附加特征

汽车合格HEXFET功率MOSFET的是175℃

结的工作温度，快速开关速度和

改进型重复雪崩额定值。这些好处的COM

茎，使这个设计的一个非常有效和可靠

装置，用于在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

在175℃等级为SO- 8封装提供了改进的

增加的安全工作区的热性能和

双MOSFET管芯的能力使其非常适合于各种

电源应用。这种双重，表面贴装的SO -8

大幅减少电路板空间，也可在

磁带&卷轴。

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

, T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量

结温和存储温度范围

马克斯。

5.1

4.2

2.4

1.7

± 20

140

5.1

参见图。 14 ，15，16

-55〜 + 175

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

θJA

马克斯。

最大结点到环境

单位

62.5

° C / W

02/15/05

www.irf.com

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