PD -91709
IRF7343
HEXFET
®
功率MOSFET
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第五代技术
超低导通电阻
双N和P沟道MOSFET
表面贴装
全额定雪崩
S1
G1
S2
G2
ñ - C H A N N EL M 2 O 4 S FE牛逼
1
8
2
7
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
55V
P沟道
-55V
3
4
6
5
P - C H A N N ê L M Ø S F （E T）
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在各种各样的应用中。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，
多个设备可以在一个应用程序中使用
大大减少了电路板空间。该包是
专为气相，红外，或波峰焊
技术。
R
DS （ ON）
0.050Ω 0.105Ω
牛逼的运算V IEW
S 0 -8
绝对最大额定值
马克斯。
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
I
AR
E
AR
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流
重复性雪崩能量
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
N沟道
55
4.7
3.8
38
2.0
1.3
72
4.7
0.20
± 20
5.0
-55到+ 150
-5.0
114
-3.4
P沟道
-55
-3.4
-2.7
-27
单位
V
A
W
W
mJ
A
mJ
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
典型值。
–––
马克斯。
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
2/24/99
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
