IRF7379 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7379
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 217 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 91625

IRF7379

HEXFET

功率MOSFET

第五代技术

超低导通电阻

免费半桥

表面贴装

全额定雪崩

ñ - C H A N N EL M 2 O 4 S FET

N沟道

DSS

30V

P沟道

-30V

P -C 3 H 6的N É左MO S FET

DS （ ON）

0.045Ω 0.090Ω

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

T O服务P V IE W¯¯

S 0 -8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

漏极至源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

N沟道

5.8

4.6

2.5

0.02

± 20

5.0

-55到+ 150

-5.0

P沟道

-30

-4.3

-3.4

-34

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

θJA

最大结点到环境？

马克斯。

单位

° C / W

www.irf.com

12/8/98

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