IRF7324 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7324
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内容描述：	HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET? Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 101 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD -93799A

IRF7324

HEXFET

功率MOSFET

沟槽技术

超低导通电阻

双P沟道MOSFET

薄型（ <1.1毫米）

可在磁带卷&

2.5V额定

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 0.018Ω

描述

新沟HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现极低的导通电阻每硅片面积。

这样做的好处，结合坚固耐用的设备的设计

该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效和

在电池和负载管理使用可靠的设备

应用程序。

T O服务P V IE W¯¯

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

, T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-9.0

-7.1

-71

2.0

1.3

± 12

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

θJA

马克斯。

最大结点到环境

参数

单位

62.5

° C / W

www.irf.com

6/26/00

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