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型号: IRF7402
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 136 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 93851A
IRF7402
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型( <1.1毫米)
可在磁带卷&
快速开关
S
S
S
G
1
8
A
A
D
D
D
D
2
7
V
DSS
= 20V
3
6
4
5
R
DS ( ON)
= 0.035Ω
描述
第五代HEXFET
®
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术,以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处,结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计, HEXFET
功率MOSFET是众所周知的,提供了
设计师有一个非常有效和可靠的装置
用于在多种应用中使用。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热characterstics和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进,多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相,红外或波焊技术。
大于0.8 W功率耗散是可能的
典型的印刷电路板安装的应用程序。
T O服务P V IE W¯¯
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲

功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
‚
结温和存储温度范围
马克斯。
6.8
5.4
54
2.5
1.6
0.02
± 12
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
„
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
2/22/00