IRF7404 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7404
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 165 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 9.1246C

IRF7404

HEXFET

功率MOSFET

第五代技术

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

动态的dv / dt额定值

快速开关

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 0.040Ω

以P V即瓦特

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，实现了

尽可能低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用

各种应用程序。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

大于0.8W的功耗有可能在

一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

S 0 -8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

10秒。漏电流脉冲，V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

-7.7

-6.7

-5.4

-27

2.5

0.02

± 12

-5.0

-55到+ 150

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

θJA

最大结点到环境？

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

www.irf.com

3/10/99

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