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IRF7410 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRF7410
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 103 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 94025
IRF7410
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
V
DSS
-12V
R
DS ( ON)
最大
7mΩ@V
GS
= -4.5V
9mΩ@V
GS
= -2.5V
13mΩ@V
GS
= -1.8V
I
D
-
16A
-
13.6A
-
11.5A
描述
这些P型沟道HEXFET
®
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术,以实现非常低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处提供设计师
用一个非常有效的装置,用于在电池使用
和负载管理应用..
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进,多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相,红外,或波焊工艺。
S
1
8
7
A
D
D
D
D
S
S
G
2
3
6
4
5
T O服务P V IE W¯¯
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲

功耗
ƒ
功耗
ƒ
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-16
-13
-65
2.5
1.6
20
±8
-55到+150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
ƒ
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
07/11/01