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    IRF7416 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7416图片预览
    型号： IRF7416
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET （ VDSS = -30V ， RDS（ON） = 0.02ohm ） [Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 118 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7416的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7416的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7416的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7416的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7416的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7416的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF7416的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF7416的Datasheet PDF文件第9页  
    PD - 9.1356D
    IRF7416
    HEXFET
    ®
    功率MOSFET
    第五代技术
    l
    超低导通电阻
    l
    P沟道MOSFET
    l
    表面贴装
    l
    可在磁带卷&
    l
    动态的dv / dt额定值
    l
    快速开关
    描述
    l
    S
    S
    S
    G
    1
    8
    7
    A
    D
    D
    D
    D
    2
    V
    DSS
    = -30V
    3
    6
    4
    5
    R
    DS （ ON）
    = 0.02Ω
    牛逼的运算V即瓦特
    国际整流器第五代HEXFETs
    利用先进的加工技术，以实现
    极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
    结合快速开关速度和加固
    设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
    众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
    和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
    采用SO-8已经通过定制进行了修改
    引线框架用于增强热性能和
    多模能力，因此非常适合于各种功率
    应用程序。有了这些改进，多个设备
    可以在应用程序中使用显着地减少
    电路板空间。该软件包是专为气相，
    红外线或波峰焊技术。功耗
    大于0.8W可以在一个典型的印刷电路板安装
    应用程序。
    S 0 -8
    绝对最大额定值
    参数
    I
    D
    @ T
    A
    = 25°C
    I
    D
    @ T
    A
    = 70°C
    I
    DM
    P
    D
    @T
    A
    = 25°C
    V
    GS
    E
    AS
    dv / dt的
    T
    J,
    T
    英镑
    连续漏电流， V
    GS
    @ -10V
    连续漏电流， V
    GS
    @ - 10V
    漏电流脉冲
    
    功耗
    线性降额因子
    栅极 - 源极电压
    单脉冲雪崩能量？
    峰值二极管恢复的dv / dt
    ƒ
    结温和存储温度范围
    马克斯。
    -10
    -7.1
    -45
    2.5
    0.02
    ± 20
    370
    -5.0
    -55到+ 150
    单位
    A
    W
    毫瓦/°C的
    V
    mJ
    V / ns的
    °C
    热电阻额定值
    参数
    R
    θJA
    最大结点到环境？
    典型值。
    –––
    马克斯。
    50
    单位
    ° C / W
    8/25/97

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