PD- 93844B
IRF7901D1
•共同包双N沟道HEXFET
®
功率MOSFET
和肖特基二极管
•适用于同步降压DC- DC
转换器高达5A峰值输出
•低传导损耗
•低开关损耗
•低VF肖特基整流器
Q1
S环境允许
Q1
门
保护地
1
2
3
4
双FETKY ？
共同封装的双MOSFET加上肖特基二极管
设备额定值（ Max.Values ）
Q1
8
7
6
5
PWR
VIN
PWR
VIN
PWR
VOUT
PWR
VOUT
Q2
和肖特基
V
DS
R
DS
（上）
Q
G
Q
sw
V
SD
30V
38 mΩ
10.5 NC
3.8 NC
1.0V
30V
32 mΩ
18.3 NC
9.0 NC
0.52V
SO-8
Q2
门
牛逼运查看
描述
该FETKY
™
家庭联合包HEXFET
®
MOSFET和肖特基二极管提供了设计师的创新，
电路板空间节省的开关稳压器和电源管理应用解决方案。先进
HEXFET
®
的MOSFET在合适的一个非常有效的装置，加上低正向压降肖特基结果
为各种各样的便携式电子设备的应用程序。
采用SO-8已经通过定制的引线框架进行了修改以增强散热功能特性和多
模具能力，因此非常适合于各种功率应用。通过这些改进，多个器件可以
可用于在应用程序中有显着减少了电路板空间。内部连接以便易于板
布局设计，减少杂散电感。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续输出
电流（V
GS
≥
4.5V)
漏电流脉冲？
功耗？
脉冲源电流
热阻
参数
最大结点到环境？
最大结到铅？
R
θJA
R
θJL
马克斯。
62.5
25
单位
° C / W
° C / W
T
L
= 100°C
结&存储温度范围
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
I
SM
24
2.0
-55到150
12
W
°C
A
T
L
= 100°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
IRF7901D1
30
±20
6.2
A
单位
V
www.irf.com
1
9/19/01
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
