IRF9410 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF9410
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.030ohm ） [Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 116 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 9.1562A

初步

IRF9410

HEXFET

功率MOSFET

第五代技术

超低导通电阻

N沟道MOSFET

表面贴装

非常低栅极电荷和

开关损耗

全额定雪崩

DSS

= 30V

DS （ ON）

= 0.030Ω

T O服务P V IE W¯¯

推荐升级： IRF7403或IRF7413

放低姿态/小当量： IRF7603

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

S 0 -8

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 25°C

= 70°C

dv / dt的

英镑

最大

± 20

7.0

5.8

2.8

2.5

1.6

4.2

0.25

5.0

-55到+ 150

单位

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

= 25°C

最大功率耗散

= 70°C

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

θJA

极限

单位

° C / W

9/15/97

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