IRF9Z24N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF9Z24N
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.175ohm ，ID = -12A ） [Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 110 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD -9.1484B

IRF9Z24N

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

P沟道

全额定雪崩

描述

DSS

= -55V

DS （ ON）

= 0.175Ω

= -12A

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

电阻和TO- 220封装的低费用

促进整个公司的广泛认可

业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

-12

-8.5

-48

0.30

± 20

-7.2

4.5

-5.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

3.3

–––

单位

° C / W

8/27/97

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